Güncel Teknoloji Bilgi Platformunuz
Transistörün Dört Bölge Karakteristiği Uyeols10
Güncel Teknoloji Bilgi Platformunuz
Transistörün Dört Bölge Karakteristiği Uyeols10
Güncel Teknoloji Bilgi Platformunuz
Would you like to react to this message? Create an account in a few clicks or log in to continue.

Güncel Teknoloji Bilgi Platformunuz

Elektrik & Elektronik Bilgi Platformu
 
AnasayfaKapıLatest imagesAramaKayıt OlGiriş yap

 

 Transistörün Dört Bölge Karakteristiği

Aşağa gitmek 
YazarMesaj
admin
Admin
Admin
admin


Mesaj Sayısı : 560
Rep Puanı : 10101606
Tecrübe Puanı : 7
Kayıt tarihi : 05/07/09
Yaş : 34
Nerden : İzmir

Transistörün Dört Bölge Karakteristiği Empty
MesajKonu: Transistörün Dört Bölge Karakteristiği   Transistörün Dört Bölge Karakteristiği I_icon_minitimeSalı Tem. 07, 2009 10:50 pm

Dört bölge karakteristiklerinde, DC 'de ve yüksüz olarak çalıştırılan transistörün giriş ve çıkış akımları ile gerilimleri arasındaki bağıntılara ait karakteristik eğrileri hep birlikte görüntülenir.

Dört bölge karakteristik eğrilerinden yararlanılarak şu statik karakteristik değerleri hesaplanabilmektedir.

Giriş direnci
Çıkışdirenci
Akım kazancı
Giriş-çıkış gerilim (zıt reaksiyon) bağıntısı
Bunlar transistörün yapısıyla ilgili karakteristik değerlerdir.

Dört bölge karakteristiği, transistör çıkışında yük direnci yokken çıkarıldığından bunlara kısa devre karakteristikleri de denir.

Transistörün "Beyz" 'i , "Emiteri" ve "Collectoru" ortak bağlantılı haldeki kısa devre karakteristikleri ile, yükte çalışma sırasında konu edilen yük doğrusu ayrıca "Temel yükselteç devreleri" bölümünde daha detaylı anlatılmıştır.
Burada, ön bilgi olarak, emiteri ortak yükselteçe ait örnek verilecektir

Dört Bölge Karakteristik Eğrisinin Bölgeleri:

Bölge Karakteristik Eğrisi (VCE - IC):
VCE çıkış gerilimindeki değişime göre, IC çıkış akımındaki değişimi gösterir.
RC=VCE/IC bağıntısı ile Çıkış direncini belirler.
Bölge Karakteristik Eğrisi (IB - IC):
IB giriş akımındaki değişime göre, IC çıkış akımındaki değişimi gösterir.
β=IC/IB bağıntısı ile Akım kazancını belirler.
Bölge Karakteristik Eğrisi (VBE - IB):
VBE giriş gerilimindeki değişime göre, IB giriş akımındaki değişimi gösterir.
Rg=VBE/IB bağıntısı ile Giriş direncini belirler.
Bölge Karakteristik Eğrisi (VBE- VCE):
"VBE - VCE" bağıntısı VBE giriş gerilimindeki değişime göre, VCE çıkış gerilimindeki değişim miktarını gösterir. Bu değişim, gerilim transfer oranı olarak tanımlanır.
Aslında bu iki gerilimin biri biri üzerinde önemli bir etkisi bulunmamaktadır.
Bu bilgiler daha çok teorik çalışmalar için gereklidir

Transistörün Dört Bölge Karakteristiği Sekil21qs
Sayfa başına dön Aşağa gitmek
http://www.mesutbulutakvaryum.forumdizini.com
 
Transistörün Dört Bölge Karakteristiği
Sayfa başına dön 
1 sayfadaki 1 sayfası
 Similar topics
-
» Transistörün Dört Bölge Karakteristiği
» JFET 'in Karakteristiği
» Zener Diyot ve Karakteristiği
» Kristal Diyot ve Karakteristiği
» JFET 'inTransfer Karakteristiği

Bu forumun müsaadesi var:Bu forumdaki mesajlara cevap veremezsiniz
Güncel Teknoloji Bilgi Platformunuz :: Elektronik Bölümü-
Buraya geçin: