JFET 'in Karakteristiği

Drain - Source Karakteristiği:

Bu karakeristik eğri drain akımının (ID), drain - source gerilimine (VDS) göre bir grafiği olduğundan, drain karakteristiği adınıda almaktadır.



VGS=0 Volt için çizilen eğride, VDS arttıkça drain akımının doyum düzeyine kadar arttığı görülmektedir. VGS=0 için bu doyum akımı IDSS olarak adlandırılır. Başka bir ifadeyle IDSS akımı, gate - source eklemi kısa devre olduğunda drain - source arasonda akan akımdır.

Gate source gerilimi VGS= -1V 'a ayarlandığında VDS yükseldikçe akım, doyuma ulaşıncaya kadar artar. Fakat bu seviye VGS = 1V 'dan dolayı kısmen oluşmaya başlayarak boşluk bölgesi, drain-source akımının daha düşük bir düzeyinde tamamıyla oluşur.

Şekil 1.15 (c) de çizilen drain - source karakteristiği çeşitli VGS değerlerini (0,-1,-2..... volt) kapsayan bir eğriler grubudur. Gate terminaline uygulanan ters polarma, gövde de boşluk bölgesi oluşturur. Bu ters gerilimin negatifliği büyüdükçe kanal direnci artar, gövdeden geçen ID akımı küçülür. VGS daha da arttırıldığında, JFET 'ten herhangi bir ID akımı akmaz, ID sıfıra iner, IG sıfır olur ve JFET elemanı tümüyle kapanır.



P-kanallı JFET 'in drain - source karakteristiği Şekil 1.6 'da gösterilmiştir. n-kanallıdan farkı VGS voltajlarının pozitif olmasıdır. Anlatılanlar p-kanallı JFET için de geçerlidir.